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ONET8551TYS9

厂家：: Texas Instruments
封装：: 触片
数量：: 3186
说明：: IC TRANSIMPEDANCE 1 CIRC WAFER

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ONET8551TYS9 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：触片
封装/外壳：模具
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 100°C
电压 - 跨度（最大值）：3.63 V
电压 - 跨度（最小值）：2.8 V
电流 - 输出/通道：-
电流 - 供电：28mA
电压 - 输入补偿：-
电流 - 输入偏置：-
-3db 带宽：9 GHz
增益带宽积：-
压摆率：-
输出类型：-
电路数：1
放大器类型：转阻
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Texas Instruments

以上是ONET8551TYS9的详细信息，包括ONET8551TYS9厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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