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中文参数如下:
波长:900 nm
上升时间:15 us
产品:Phototransistors
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 20 C
最大工作温度:+ 80 C
下降时间:15 us
集电极—射极饱和电压:0.5 V
集电极—射极击穿电压:30 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
封装形式:T - 1.5 mm
最大暗电流:100 nA
最大功率耗散:75 mW
RoHS:是
制造商:Lumex
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