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NVTR0202PLT1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：
 25742  
说明：
 MOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH
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NVTR0202PLT1G-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

NVTR0202PLT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：6 ns
功率耗散：225 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：2.18 nC
下降时间：4 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.55 Ohms
漏极连续电流：- 0.4 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NVTR0202PLT1G的详细信息，包括NVTR0202PLT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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