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中文参数如下:
功率耗散:21 W
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :11 S
包装形式:Reel
封装形式:WDFN-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):52 mOhms
漏极连续电流:- 14 A
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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