NVR1P02T1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：: 14646
说明：: MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

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NVR1P02T1G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：400 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：148 mOhm
漏极连续电流：- 1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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