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中文参数如下:
工厂包装数量:3000
上升时间:725 ns, 708 ns
功率耗散:225 mW
最小工作温度:- 40 C
下降时间:725 ns, 708 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 125 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):800 mOhms at 5 V
漏极连续电流:0.15 A
闸/源击穿电压:12 V
汲极/源极击穿电压:28 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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