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中文参数如下:
工厂包装数量:10000
上升时间:15 ns
功率耗散:400 mW
栅极电荷 Qg:5.5 nC
下降时间:20 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):135 mOhms
漏极连续电流:1.3 A
闸/源击穿电压:12 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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