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中文参数如下:
功率耗散:43 W
栅极电荷 Qg:43 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :50 S
包装形式:Reel
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4 mOhms
漏极连续电流:19.5 A
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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