NTJD4105CT4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SC-88/SC70-6/SOT-363
数量：: 5517
说明：: MOSFET 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary

一、本商品被浏览0次.

NTJD4105CT4G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：786 nS, 50 nS
工厂包装数量：10000
上升时间：227 nS, 23 nS
功率耗散：270 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：1.3 nC, 2.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2 S, 2 S
下降时间：506 nS, 36 nS
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.29 Ohms at 4.5 V, 0.22 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流：630 mA, - 775 mA
闸/源击穿电压：+/- 12 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V, - 8 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTJD4105CT4G的详细信息，包括NTJD4105CT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：