NSVDTA115EET1G

厂家：: onsemi
封装：: SC-75，SOT-416
数量：: 4815
说明：: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3

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NSVDTA115EET1G PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：SC-75，SOT-416
封装/外壳：SC-75，SOT-416
安装类型：表面贴装型
功率 - 最大值：200 mW
频率 - 跃迁：-
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
电阻器 - 发射极 (R2)：100 kOhms
电阻器 - 基极 (R1)：100 kOhms
电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA
晶体管类型：PNP - 预偏压
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

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