NSVBC114YPDXV65G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-563
数量：: 4086
说明：: TRANSISTOR BRT DUAL NPN SOT-563

一、本商品被浏览0次.

NSVBC114YPDXV65G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
晶体管类型1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）10K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）47K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA, 10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）500nA
频率 - 转换-
功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装

以上是NSVBC114YPDXV65G的详细信息，包括NSVBC114YPDXV65G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：