NST3906DXV6T5

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-563-6
数量：: 1143
说明：: 两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual

一、本商品被浏览0次.

NST3906DXV6T5 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：357 mW
集电极连续电流：- 0.2 A
封装形式：SOT-563-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60 at 0.1 mA at 1 V
增益带宽产品fT：250 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
集电极—射极饱和电压：- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V
集电极—基极电压 VCBO：- 40 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是NST3906DXV6T5的详细信息，包括NST3906DXV6T5厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：