NSBC113EDXV6T1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-563
数量：: 8937
说明：: TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

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NSBC113EDXV6T1G PDF参数资料

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中文参数如下：
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）1K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）1K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)3 @ 5mA, 10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）250mV @ 5mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）500nA
频率 - 转换-
功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装

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