NSB13211DW6T1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SC-88/SC70-6/SOT-363
数量：: 6165
说明：: TRANS BRT DUAL COMPL SC-88

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NSB13211DW6T1G PDF参数资料

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中文参数如下：

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7K, 10K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：4.7K, 10K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率 - 转换：-
功率 - 最大：230mW
安装类型：表面贴装

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