NJX1675PDR2G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 8-SOIC
数量:
 7236  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN/PNP +/- 30V +/- 6A
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NJX1675PDR2G PDF参数资料

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中文参数如下:
认证机构:
封装封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:100MHz,120MHz
功率 - 最大值:2W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1A,2V
电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):115mV @ 200mA,2A / 170mV @ 200mA,2A
电压 - 集射极击穿(最大值):30V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A
晶体管类型:NPN,PNP
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:onsemi

以上是NJX1675PDR2G的详细信息,包括NJX1675PDR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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