NJW21193G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-3P-3L
数量:
 4375  
说明:
 两极晶体管 - BJT 200W PNP
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NJW21193G PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:4MHz
功率 - 最大值:200 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 8A,5V
电流 - 集电极截止(最大值):100μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):4V @ 3.2A,16A
电压 - 集射极击穿(最大值):250 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16 A
晶体管类型:PNP
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:onsemi

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