NJVMJD44H11T4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: DPAK
数量：: 6963
说明：: 两极晶体管 - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR

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NJVMJD44H11T4G PDF参数资料

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：85MHz
功率 - 最大值：1.75 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 2A，1V
电流 - 集电极截止（最大值）：1μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A
电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A
晶体管类型：NPN
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：onsemi

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