NJD35N04T4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 DPAK
数量:
 1827  
说明:
 达林顿晶体管 NPN DARL POWER TRAN
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NJD35N04T4G PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
安装类型:表面贴装型
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:90MHz
功率 - 最大值:45 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V
电流 - 集电极截止(最大值):50μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 20mA,2A
电压 - 集射极击穿(最大值):350 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
晶体管类型:NPN - 达林顿
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌:onsemi

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