NHP620MFDT3G

厂家:
  onsemi
封装:
 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
数量:
 5301  
说明:
 DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
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NHP620MFDT3G-8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)图片

NHP620MFDT3G PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
封装/外壳:8-PowerTDFN
安装类型:表面贴装型
工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 200 V
反向恢复时间 (trr):25 ns
速度:快速恢复 = 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):3A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
技术:标准
二极管配置:2 个独立式
产品状态:停产
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR)
品牌:onsemi

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