NGTD20T120F2WP

厂家：: onsemi
封装：: 模具
数量：: 8955
说明：: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

一、本商品被浏览0次.

NGTD20T120F2WP PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装封装/外壳：模具
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：-
25°C 时 Td（开/关）值：-
栅极电荷：-
输入类型：标准
开关能量：-
功率 - 最大值：-
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

以上是NGTD20T120F2WP的详细信息，包括NGTD20T120F2WP厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：