首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > NE85633-T1B-A

NE85633-T1B-A

厂家：
  CEL
封装：
 SOT-23-3
数量：
 6732  
说明：
 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NE85633-T1B-A-SOT-23-3图片

NE85633-T1B-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
增益带宽产品fT：7 GHz
直流电流增益 hFE 最大值：250
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：0.2 W
集电极连续电流：0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V
最大工作频率：1 GHz
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频双极小信号晶体管
制造商：CEL

以上是NE85633-T1B-A的详细信息，包括NE85633-T1B-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTC044TUBTL
  • DTA043TUBTL
  • DTC123YCA-HF
  • DTA123YCA-HF
  • DTA143XCA-HF
  • DTC114WCA-HF
  • DTC113ZCA-HF
  • DTC143XCA-HF
  • DTC114YCA-HF
  • DTA114YCA-HF

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      NE85634

      射频双极电源晶体管 NPN High Frequency

    • NE85634-A图片

      NE85634-A

      射频双极电源晶体管 NPN High Frequency

    • NE85634-T1图片

      NE85634-T1

      射频双极电源晶体管 NPN High Frequency

    • 暂无电子元件图

      NE85635

      射频双极小信号晶体管 MICRO-X NPN HI-FREQ

    • 暂无电子元件图

      NE85639

      射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

    • NE85639-A图片

      NE85639-A

      射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

    • 暂无电子元件图

      NE85639R

      射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC