首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > NE85619-T1-A

NE85619-T1-A

厂家：
  CEL
封装：
 SOT-523
数量：
 6570  
说明：
 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NE85619-T1-A-SOT-523图片

NE85619-T1-A PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
增益带宽产品fT：4.5 GHz
直流电流增益 hFE 最大值：160
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：100 mW
集电极连续电流：100 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频双极小信号晶体管
制造商：CEL

以上是NE85619-T1-A的详细信息，包括NE85619-T1-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • NHDTA124EUF
  • RN2130MFV,L3F
  • RN2117MFV,L3F
  • RN2115MFV,L3F
  • RN2114MFV,L3F
  • RN2111MFV,L3F
  • RN2110MFV,L3F
  • RN2108MFV,L3F
  • RN1114MFV,L3F
  • RN1130MFV,L3F

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      NE85630

      射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

    • NE85630-A图片

      NE85630-A

      射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency

    • 暂无电子元件图

      NE85632

      射频双极小信号晶体管 TO-92 NPN HI FREQ

    • 暂无电子元件图

      NE85632-A

      射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist

    • 暂无电子元件图

      NE85632-AP-A

      射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor

    • 暂无电子元件图

      NE85633

      射频双极小信号晶体管 USE 551-NE85633-A

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC