NE5230DR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 3618
说明：: 运算放大器 - 运放 1.8V Single Rail to Rail Commercial Temp

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NE5230DR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

电压增益 dB：126.02 dB
技术：Bipolar
电源电流：0.11 mA
工厂包装数量：2500
最小工作温度：0 C
最小双重电源电压：+/- 0.9 V
最大双重电源电压：+/- 7.5 V
增益带宽生成：250 KHz
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 70 C
输出电流：6 mA
关闭：No
转换速度：0.09 V/us
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
工作电源电压：1.8 V to 15 V, +/- 0.9 V to +/- 7.5 V
输入偏流（最大值）：150 nA
输入补偿电压：3 mV
共模抑制比（最小值）：85 dB
通道数量：1
RoHS：是
产品种类：运算放大器 - 运放
制造商：ON Semiconductor

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