NCV84090DR2G

厂家:
  onsemi
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 2182  
说明:
 90MOHM HIGH SIDE SMARTFET
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NCV84090DR2G-8-SOIC(0.154

NCV84090DR2G PDF参数资料

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中文参数如下:
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装:8-SOIC
安装类型:表面贴装型
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
故障保护:限流(可调),开路负载检测,超温,反向电流,UVLO
特性:负载释放,压摆率受控型
输入类型:非反相
导通电阻(典型值):90 毫欧
电流 - 输出(最大值):24A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
电压 - 负载:4V ~ 28V
接口:开/关
输出类型:P 通道
输出配置:高端
比率 - 输入:输出:1:01
输出数:1
开关类型:通用
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT)
品牌:onsemi

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