NCV84090DR2G

厂家：: onsemi
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 2182
说明：: 90MOHM HIGH SIDE SMARTFET

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中文参数如下：
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装：8-SOIC
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
故障保护：限流（可调），开路负载检测，超温，反向电流，UVLO
特性：负载释放，压摆率受控型
输入类型：非反相
导通电阻（典型值）：90 毫欧
电流 - 输出（最大值）：24A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：不需要
电压 - 负载：4V ~ 28V
接口：开/关
输出类型：P 通道
输出配置：高端
比率 - 输入:输出：1:01
输出数：1
开关类型：通用
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）
品牌：onsemi

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