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NCV8402DDR2G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：
 2961  
说明：
 MOSFET N-Channel MOSFET 2.0 A 42V
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NCV8402DDR2G-8-SOIC（0.154

NCV8402DDR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：1.62 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：165 mOhms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：+/- 14 V
汲极/源极击穿电压：42 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NCV8402DDR2G的详细信息，包括NCV8402DDR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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