NCV33152DR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 1431
说明：: 功率驱动器IC 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET

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NCV33152DR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
输出端数量：2
激励器数量：2
最小工作温度：- 40 C
配置：Non-Inverting
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
最大功率耗散：560 mW
电源电流：10.5 mA
电源电压-最小：6.5 V
下降时间：32 ns
上升时间：36 ns
类型：High Speed
RoHS：是
产品种类：功率驱动器IC
制造商：ON Semiconductor

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