点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:2500
输出电压:35 V
输出端数量:2
激励器数量:2
最小工作温度:0 C
配置:Inverting, Non-Inverting
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 85 C
电源电压-最小:10 V
电源电压-最大:13.2 V
上升时间:16 ns
类型:High Side/Low Side
产品:MOSFET Gate Drivers
制造商:ON Semiconductor
以上是NCP5359DR2G的详细信息,包括NCP5359DR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!