NCP5106ADR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 45
说明：: 功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR

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NCP5106ADR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
输出端数量：2
激励器数量：2
最小工作温度：- 55 C
配置：Non-Inverting
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
最大功率耗散：178 W
电源电流：5 mA
电源电压-最小：- 0.3 V
下降时间：75 ns
上升时间：160 ns
类型：High Side/Low Side
产品：MOSFET Gate Drivers
RoHS：是
产品种类：功率驱动器IC
制造商：ON Semiconductor

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