MV2N5116UB

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 
数量:
 10365  
说明:
 JFET P-CH 30V UB
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MV2N5116UB PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:UB
封装/外壳:3-SMD,无引线
安装类型:表面贴装型
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
功率 - 最大值:500 mW
电阻 - RDS(On):175 Ohms
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):27pF @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):1 V @ 1 nA
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):5 mA @ 15 V
漏源电压(Vdss):30 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):30 V
FET 类型:P 通道
产品状态:在售
包装:Military, MIL-PRF-19500
系列:散装
品牌:Microchip Technology

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