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MT3S111TU,LF

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 UFM
数量：
 5322  
说明：
 RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
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MT3S111TU,LF PDF参数资料

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中文参数如下：
功率 - 最大值：
封装封装/外壳：3-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 30mA，5V
功率 - 最大值：800mW
增益：12.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
频率 - 跃迁：10GHz
电压 - 集射极击穿（最大值）：6V
晶体管类型：NPN
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是MT3S111TU,LF的详细信息，包括MT3S111TU,LF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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