MSD42T1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SC-59
数量：: 11894
说明：: 两极晶体管 - BJT SS XSTR HV 300V TR

一、本商品被浏览0次.

MSD42T1G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：150 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 30mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA
晶体管类型：NPN
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：onsemi

以上是MSD42T1G的详细信息，包括MSD42T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：