首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > MSCSM70VM10C4AG

MSCSM70VM10C4AG

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 5640
说明：: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP4

一、本商品被浏览0次.

MSCSM70VM10C4AG PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：
封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：674W（Tc）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9000pF @ 700V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：430nC @ 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 8mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 80A，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：238A（Tc）
漏源电压（Vdss）：700V
FET 功能：-
配置：2 N 沟道（相角）
技术：碳化硅（SiC）
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Microchip Technology

以上是MSCSM70VM10C4AG的详细信息，包括MSCSM70VM10C4AG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：