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MSCSM120DUM31TBL1NG

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 4713
说明：: PM-MOSFET-SIC-BL1

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MSCSM120DUM31TBL1NG PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：310W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：232nC @ 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：31 毫欧 @ 40A，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：79A
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N 沟道（双）共源
技术：碳化硅（SiC）
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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