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MSCSM120DHM31CTBL2NG

厂家：
  Microchip Technology
封装：
 
数量：
 4794  
说明：
 PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2
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MSCSM120DHM31CTBL2NG PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：310W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：232nC @ 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：31 毫欧 @ 40A，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：79A
漏源电压（Vdss）：1200V
FET 功能：-
配置：2 N 沟道（双）非对称型
技术：碳化硅（SiC）
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Microchip Technology

以上是MSCSM120DHM31CTBL2NG的详细信息，包括MSCSM120DHM31CTBL2NG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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