点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
封装:-
封装/外壳:D2
安装类型:底座安装
工作温度 - 结:-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:9 mA @ 1800 V
反向恢复时间 (trr):-
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 300 A
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1800 V
技术:标准
二极管配置:1 对串联
产品状态:停产
包装:-
系列:散装
品牌:Microsemi Corporation
以上是MSCD200-18的详细信息,包括MSCD200-18厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!