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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:TO-220-2
封装/外壳:TO-220-2
安装类型:通孔
不同?Vr、F 时电容:1130pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 μA @ 1200 V
反向恢复时间 (trr):0 ns
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.8 V @ 20 A
电流 - 平均整流 (Io):49A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Microchip Technology
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