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MSA1162GT1

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SC-59-3
数量：: 2259
说明：: 两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP

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MSA1162GT1 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最大功率耗散：0.2 W
集电极连续电流：0.1 uA
封装形式：SC-59-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 6 V
增益带宽产品fT：80 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
集电极—射极饱和电压：50 V
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MSA1162GT1的详细信息，包括MSA1162GT1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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