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中文参数如下:
晶体管极性:NPN
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
包装形式:Tray
封装形式:M164
功率耗散:233 W
集电极连续电流:10 A
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:55 V
最大工作频率:30 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min:15
配置:Single Dual Emitter
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.
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