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中文参数如下:
封装:UB
封装/外壳:3-SMD,无引线
安装类型:表面贴装型
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
功率 - 最大值:360 mW
电阻 - RDS(On):60 Ohms
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):18pF @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):800 mV @ 500 pA
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):8 mA @ 15 V
漏源电压(Vdss):40 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40 V
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Microchip Technology
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