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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
包装形式:Ammo
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:350 W
封装形式:TO-92-3 (TO-226)
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:60
增益带宽产品fT:650 MHz
集电极—射极饱和电压:25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
集电极—基极电压 VCBO:30 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:否
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ON Semiconductor
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