中文参数如下:
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:25 at 1 mA at 10 V
增益带宽产品fT:50 MHz
集电极—射极饱和电压:200 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—基极电压 VCBO:200 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
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