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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
最小工作温度:- 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:10000
集电极连续电流:0.5 A
包装形式:Ammo
封装形式:TO-92-3 (TO-226)
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:625 mW
最大集电极截止电流:0.1 uA
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—基极电压 VCBO:100 V
发射极 - 基极电压 VEBO:12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:达林顿晶体管
制造商:ON Semiconductor
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