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中文参数如下:
工厂包装数量:2500
直流集电极/Base Gain hfe Min:10000 at 100 mA at 5 V
集电极连续电流:0.1 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大集电极截止电流:0.1 uA
集电极—基极电压 VCBO:50 V (Min)
发射极 - 基极电压 VEBO:10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V (Min)
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:过渡期间
产品种类:达林顿晶体管
制造商:Central Semiconductor
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