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中文参数如下:
工厂包装数量:2500
最大功率耗散:625 mW
集电极连续电流:0.1 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
集电极—射极饱和电压:25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:4 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
晶体管极性:NPN
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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