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中文参数如下:
工厂包装数量:2500
最大功率耗散:625 mW
直流电流增益 hFE 最大值:100 at 50 mA at 2 V
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 50 mA at 2 V
集电极—射极饱和电压:30 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
集电极—基极电压 VCBO:50 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
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