MMBT918LT1

厂家：: ON Semiconductor
封装：: -
数量：: 1305
说明：: 两极晶体管 - BJT 50mA 15V NPN

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MMBT918LT1 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
集电极连续电流：0.05 A
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20 at 3 mA at 1 V
增益带宽产品fT：600 MHz
最大直流电集电极电流：0.05 A
集电极—射极饱和电压：15 V
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V
集电极—基极电压 VCBO：30 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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