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MMBT5551_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 3420
说明：: 两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR

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MMBT5551_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：0.3 W
集电极连续电流：0.2 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：80 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
集电极—基极电压 VCBO：180 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBT5551_Q的详细信息，包括MMBT5551_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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