MMBT4126LT3G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-23-3（TO-236）
数量：: 20244
说明：: 两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 20V

一、本商品被浏览0次.

MMBT4126LT3G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：250MHz
功率 - 最大值：225 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 2mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA
晶体管类型：PNP
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌：onsemi

以上是MMBT4126LT3G的详细信息，包括MMBT4126LT3G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：