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MMBT100

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23
数量：
 20021  
说明：
 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
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MMBT100-SOT-23图片

MMBT100 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：MMBT100_NL
工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
直流电流增益 hFE 最大值：450
集电极连续电流：0.5 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：250 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：45 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
集电极—基极电压 VCBO：75 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MMBT100的详细信息，包括MMBT100厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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