MJE5851G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-220-3
数量：: 7314
说明：: 两极晶体管 - BJT 8A 350V 80W PNP

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MJE5851G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：80 W
集电极连续电流：8 A
封装形式：TO-220-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：15
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—射极饱和电压：350 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：350 V
集电极—基极电压 VCBO：400 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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